Pierwsze pamięci NAND z TSV

Radek Nimal - Friday, 21 July 2017, 13:25

Toshiba przestawiła pierwsze na świecie pamięci 3D NAND flash wykorzystujące technologię TSV (Trough Silicon Via).




TSV jest rozwiązaniem pozwalającą na opracowanie szybkich pamięci zużywających mniej prądu. W waflu krzemowym tworzone są pionowe połączenia elektryczne. Architektura taka wykorzystana została już wcześniej przez Toshibę w pamięciach NAND flash typu 2D.


Obecnie firma zaimplementowała to rozwiązanie do 48-warstwowych kości 3D NAND flash typu TLC. W porównaniu do takich samych kości zasilanych tradycyjnie efektywność energetyczna rośnie dwukrotnie. Nowe kości BiCS z TVS zestawione po 16 pozwalają na osiągnięcie pojemności 1 TB w pojedynczym układzie.


Źródło: Toshiba

Tagi: , ,

Komentarze są wyłączone

Uprzejmie prosimy o przestrzeganie netykiety przy dodawaniu komentarzy. Redakcja CDRinfo.pl nie odpowiada za treść komentarzy, które publikują użytkownicy. Aby zmienic swoj avatar zarejestruj sie w serwisie www.gravatar.com.